Samsung demonstra primeiro protótipo físico de SSD com memória Z-NAND

Samsung demonstra primeiro protótipo físico de SSD com memória Z-NAND

A Samsung demonstrou o primeiro protótipo físico de SSD com memória Z-NAND da companhia a aparecer em público, e chegou inclusive a divulgar números oficiais que terá o produto final.

A nova tecnologia chega para ser uma interseção entre as memórias NAND e DRAM, da mesma maneira como o Intel 3D Xpoint. A diferença é que a solução da Samsung é apenas uma evolução da tecnologia NAND existente.

Mostrado na Cloud Expo Europe, o Samsung Z-SSD promete ter 800 GB de armazenamento num formato de placa PCIe 3.0 x4. As velocidades de leitura e escrita sequenciais podem chegar até 3200 MB/s.

Mas o grande diferencial, em comparação com SSDs NAND, está em ter essas velocidades junto de especificações como 750 mil IOPS de leitura aleatória e 160 mil IOPS de escrita aleatória.

A companhia coreana ainda fala de latências de leitura até 70% menores do que as encontradas nos atuais drives NVMe. Isso se deve não apenas a uma nova tecnologia, como também a um novo controlador, que ainda não foi apresentado oficialmente pela Samsung. A empresa ainda deverá apresentar opções de 2 TB e 4 TB no futuro.

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