Cientistas do Samsung Advanced Institute of Technology descobriram que um material revolucionário pode ser a solução perfeita para uso na próxima geração de semicondutores. Essa classe de dispositivos é fundamental para o desenvolvimento de uma série de peças de hardware, desde processadores até memórias RAM e drives de armazenamento.

Em colaboração com pesquisadores do Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia de Ulsan (UNIST) e da Universidade de Cambridge, o pessoal da fabricante sul-coreana experimentou com o uso de um composto chamado nitreto de boro amorfo (a-BN) para criar um novo tipo de semicondutores.

O estudo desenvolvido pelas três instituições foi publicado na revista científica Nature e descreve um material que consiste em átomos de boro e de nitrogênio que se unem uma estrutura molecular amorfa. Tudo começou com os cientistas da SAIT trabalhando no desenvolvimento de materiais bidimensionais para a criação de processadores de próxima geração.

Fonte: Samsung

Esse tipo de composto envolve o uso de materiais cristalinos com uma camada única de átomos. A princípio, os pesquisadores estavam trabalhando na pesquisa e no desenvolvimento de grafeno. Através dessa linha de pesquisa, o pessoal da Samsung já tinha alcançado resultados inovadores, como o desenvolvimento de um novo transistor de grafeno.

"Para melhorar a compatibilidade do grafeno com processos de semicondutores baseados em silício, o crescimento de grafeno em escala de wafer em substratos semicondutores deve ser implementado numa temperatura inferior a 400°C. Também estamos trabalhando de maneira contínua para expandir aplicações de grafeno além dos semicondutores".
Hyeon-Jin Shin, pesquisador principal da SAIT

De acordo com o site TechPowerUp, o nitreto de boro amorfo é um composto bastante adequado para esse uso, especialmente por causa da sua constante dielétrica extremamente baixa, de 1,78. Ele também tem propriedades elétricas e mecânicas bastante fortes, permitindo que ele seja usado como um material de isolamento de interconectores – minimizando a interferência elétrica.