O novo padrão de armazenamento interno para smartphones, o UFS 3.1 foi anunciado pela JEDEC Solid State Technology Association. A nova geração da tecnologia Universal Flash Storage promete trazer melhorias de velocidade e de eficiência, o que é uma boa notícia para quem for comprar os celulares topo de linha que a adotarem em 2020.
Universal Flash Storage versão 3.0 traz o dobro de velocidade...
Tecnologia vai deixar memórias mais rápidas enquanto gastam menos energia para trabalhar
O UFS 3.1 foi anunciado com o código JESD220E, mas também terá um padrão de companhia novo e opcional conhecido como JESD220-3 (UFS Host Performance Booster, ou HPB). Uma das principais melhorias que o novo padrão traz é o Write Booster, um tipo de cache Single-Level Cell (SLC) que amplifica a velocidade de escrita.
Além disso, a nova geração de memórias UFS ainda traz um novo estado de baixo consumo conhecido como DeepSleep. Ele será útil para sistemas mais baratos que usam os reguladores de tensão do UFS para executar outas funções.
O que é armazenamento Universal Flash Storage (UFS) e quais s...
Versão 3.1 já foi anunciada e pode chegar nos aparelhos das linhas OnePlus 8 e Galaxy Note 20
Para finalizar, o UFS 3.1 vem com uma funcionalidade de Notificação do Throttling de Performance. Ela notifica o host quando a performance do armazenamento precisa ser reduzida por causa das altas temperaturas de operação.
Como aponta o XDA Developers, o principal desses recursos é o cache não-volátil do tipo SLC, que será responsável por efetivamente melhorar o desempenho do armazenamento interno. Essa tecnologia já é usada em dispositivos que usam SSDs NVMe mobile, como o iPhone e o iPad da Apple. Também são recursos que já são suportados por SSDs tradicionais de desktop, o que contribui para reduzir a distância entre os esses dois segmentos.
Via: XDA Developers Fonte: JEDEC